西部数据（WD/Western Digital） Black SN850 1T M.2测试

PCIE4.0固态很早就有问世产品，但直到intel开始推广PCIE4.0，各大厂才放出PCIE4.0的固态硬盘。而明明早在一年前，AMD就开始推广PCIE4.0。所以到今天为止，PCIE4.0固态到底表现如何呢？所以就搞来了SN850来试试。

规格：M.2 2280

容量：1T

接口：PCIE4.0 X4

协议：NVMe 1.4

颗粒： Sandisk 512G TLC

顺序读取：7000MB/s

顺序写入：5300MB/s

随机4K读取：1000000IOPS

随机4K写入：720000IOPS

终身写入寿命：600TBW

SN850采用单面设计，主控、颗粒和缓存都在一面，背面干干净净。可能2T版会采用双面设计吧。单面设计放笔记本的兼容性更好。但我相信不会有人愿意把这东西放进笔记本里。

撕开贴纸就可以看到主控了，为闪迪自己的主控，编号20-82-10034-A1、DVT3-SE924。以前闪迪都喜欢用马牌的定制主控，可能现在马牌太菜了，改用自己的主控了。但一般来说主控这种技术储备不是想自己研发就马上自己研发出来的。闪迪自己是有Fusion-IO这个比较有技术含量的主控设计厂，但Fusion-IO主要面向企业级，民用基本不是一个等级。所以有那么一刻我甚至怀疑闪迪是不是拿群联来用了。至于到底是什么主控，就只有闪迪知道了。

颗粒方面采用的还是闪迪自家的TLC 512G颗粒。颗粒编号CSS07B-S81DVCSS-16DR。颗粒的编号已经开始有点猫腻了，比如16DR可能就是通道和CE，但其实就不知道了，这些编码信息就留给喜欢破译密码的“情报科”去挖掘吧。

缓存方面，使用了1颗美光旗下的DDR4 2666 8Gb颗粒，编号D9WFH，SSD终于用上了DDR4而且还是2666的颗粒，喜大普奔。

SN850作为PCIE4.0固态而且还是家用级别的固态，整体设计应当依旧偏向于家用低队列高响应高速度的设计。本次测试采用传统软件跑分与Txbench混合多模式跑分以测试其性能。

CrystalDiskMark 5.0.3 16G

ASSSD 2.0.6821.41776 5G

TX-bench下空盘状态对比85%满盘

HDTUNE 5.70 缓存测试

*（1.所有混合队列读写任务使用QD8，模拟日常系统使用的队列深度

CPU：AMD Ryzen R5 3500X

主板：华硕ROG Crosshair VIII Formula

显卡：NVIDIA Geforce RTX3060Ti

内存：金泰克 X3 RGB DDR4 8G*2 3600

系统盘：江波龙 128G WTG

电源：鑫谷GP900G

系统：Windows 10 1903 （关闭网络）

ASSSD的表现很不错，4K低队列已经到了76.54MB/s，191.64MB/s。但是高队列并没有达到标称的性能。顺序读写的表现也是类似。

CDM的表现好了点，Q8模拟系统任务队列下读取达到6226.8MB/s，写入3265.9MB/s。如果把线程放宽应该就可以达到标称值了，但是这样的任务场景，家用基本遇不到。4K的Q8T1下表现为505MB/s，648MB/s，换算下来大概是15万IOPS左右。同期对比，M9P PLUS大概在10万左右，提升还是很明显的。

95%顺序读取/5%随机写入模拟的是系统盘进行大规模读取时系统所能留有的冗余运作空间。SN850的写入能达到2.45MB/s左右，这个冗余本身是非常充足的，不过还是拿M9P PLUS来对比，M9P PLUS能跑到3.2MB/s。但读取速度很充足，基本维持6000MB/s上下。在85%满盘后，因为TLC Cache的上限问题，所以每当写爆了SLC之后，性能下跌的明显。当然就算是如此，SN850的读取响应时间都能维持在30ms上下。当然读写的速度就很低了，只有100MB/s不到。

95%顺序写入/5%随机读取模拟的是系统盘进行大规模写入时系统所能留有的冗余运作空间。SN850为随机读取预留了1.2MB/s左右的读取空间。写入也能跑到3000MB/s上下，对比以前的SSD都是全面吊打。满盘下表现类似，但这时候读取延迟提升到了300ms，而写入延迟最高也有120ms。

50%读取/50%写入模拟的是非系统盘内进行的读写操作。顺序模式下，空盘的SN850盘内读写速度不错，达到了2800MB/s，基本也是吊打一切。满盘下SN850的性能影响明显了，不仅大裂谷多了，甚至读写速度都下降了。延迟甚至有时候跌入0。随机模式下，盘内读写在208MB/s，波动不大。满盘下，随机的盘内读写收到的影响稍微小一点。可能也和4K读写量比顺序读写量小的原因。

80%顺序写入/20%顺序读取模拟的是常见大型数据的读写操作。一般来说能跑出接近比例的速度，这个SSD的主控基本都没有特别偏向性的调教，或者说没有什么缺点。这里的776.37MB/s，3102.74MB/s接近1：4。一旦是满盘下，涉及顺序读写这种数据量比较大的读写操作，波动都很大。

60%顺序写入/40%随机写入模拟的不常见的大规模混合写入，比如一些下载，缓存队列等。这个速度和顺序写入接近，完全满足万兆需求。但满盘下表现类似，基本爆炸了。

以上小结：

可以看到满盘后的SN850性能对比空盘损耗很大。也就是说SN850这么辉煌的性能下其实还是很依赖SLC Cache，一旦Cache用光了，性能下降非常明显。不过就算是这样，SN850下降后的性能依旧不算差。还是能吊打目前大部分的中高端 PCIE SSD。

看来SN850之所以能够有那么高的性能，核心还是采用了比较激进的全盘模拟SLC。因为HDTUNE最大只能写入250GB的数据。所以没能目睹缓后SSD的性能。估计缓后性能是可以超过800MB/s以上，甚至能到1.5G/s。

SN850的性能确实非常高，也吊打了很多以前的老SSD。但我并不觉得满意。原因在于性能的爆发点没有落在家用低队列上，或者说偏移了。尽管在许多复杂场景里，SN850对比过去的旗舰SSD，性能至少都是50%以上的提升。但在最简单的顺序读写里面，居然都没有达到标称值。对于一款家用SSD来说，尽可能在低队列T1下爆发最大的性能是让用户体验提升最明显的方法。所以SN850没能够在低队列，或者说居然没有在CDM上把满分跑出来，实属遗憾。

但从SN850的整体性能我们也确实能看到西数的技术储备是有的，特别是那吓死的TLC读写速度。对比初代TLC只有百兆左右的读写速度，可谓天壤之别。而主控在复杂队列的情况下的性能表现也明显优于其他主控的表现。如果硬要给他定性，那么只能说SN850是一个明明是家用盘，但是性能有点偏向于企业级的硬盘。SN850作为西数的PCIE4.0旗舰硬盘，估计暂时不会有什么大更新，希望未来能把主控的性能继续优化，让SN850在低队列上完整的爆发出顺序读写的所有性能。